[发明专利]氮化物半导体晶片、氮化物半导体器件和制造氮化物半导体晶片的方法有效
| 申请号： | 201310331650.X | 申请日： | 2013-08-01 |
| 公开（公告）号： | CN103682009B | 公开（公告）日： | 2017-04-12 |
| 发明（设计）人： | 吉田学史;彦坂年辉;原田佳幸;杉山直治;布上真也 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | H01L33/12 | 分类号： | H01L33/12;H01L29/06;H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所11247 | 代理人： | 贺月娇,杨晓光 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及氮化物半导体晶片、氮化物半导体器件和制造氮化物半导体晶片的方法。根据一个实施例，一种氮化物半导体晶片包括硅衬底；缓冲部，其被设置在所述硅衬底上；以及功能层，其被设置在所述缓冲部上且包含氮化物半导体。所述缓冲部包括包含氮化物半导体的第一到第n缓冲层（n是4或更大的整数）。所述第一到第n缓冲层中的第i缓冲层（i是1或更大且小于n的整数）具有在与所述第一缓冲层的主表面平行的第一方向上的晶格长度Wi。在所述第i缓冲层上设置的第（i+1）缓冲层具有在所述第一方向上的晶格长度W(i+1)。在所述第一到第n缓冲层中，所述第i缓冲层和所述第（i+1）缓冲层满足(W(i+1)‑Wi)/Wi≤0.008的关系。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化物 半导体 晶片 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种氮化物半导体晶片，包括：硅衬底；缓冲部，其被设置在所述硅衬底上且包括包含氮化物半导体的第一到第n缓冲层，其中n是4或更大的整数，所述第一到第n缓冲层中的第i缓冲层具有在与所述第一缓冲层的主表面平行的第一方向上的晶格长度Wi，其中i是1或更大且小于n的整数，在所述第i缓冲层上设置的第(i+1)缓冲层具有在所述第一方向上的晶格长度W(i+1)，并且在所有所述第一到第n缓冲层中，所述第i缓冲层和所述第(i+1)缓冲层满足0.003≤(W(i+1)‑Wi)/Wi≤0.008的关系；以及功能层，其被设置在所述缓冲部上且包含氮化物半导体，其中，所述第(i+1)缓冲层与所述第i缓冲层接触。
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