[发明专利]VVMOS管的制作方法及VVMOS管在审
| 申请号： | 201310331656.7 | 申请日： | 2013-08-01 |
| 公开（公告）号： | CN104347412A | 公开（公告）日： | 2015-02-11 |
| 发明（设计）人： | 崔金洪 | 申请（专利权）人： | 北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/06;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 孟金喆 |
| 地址： | 100871 北京市海*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种垂直V型槽金属氧化物半导体VVMOS管的制作方法和VVMOS管，该方法包括在衬底的外延层上形成V型槽，且在V型槽中形成栅极氧化层和栅极的流程，所述在V型槽中形成栅极氧化层的流程包括：在形成有V型槽的外延层表面生长第一栅极氧化层；在所述第一栅极氧化层的表面进行保护层的淀积，并对所述保护层采用刻蚀工艺，去除所述V型槽底部的保护层；在所述V型槽底部形成第二栅极氧化层；去除剩余的保护层。本发明提供的VVMOS管的制作方法，可使得制作得到的VVMOS管的栅极不易发生击穿，开关不易损耗，从而提高开关的使用寿命。 | ||
| 搜索关键词： | vvmos 制作方法 | ||
【主权项】：
一种垂直V型槽金属氧化物半导体VVMOS管的制作方法，包括在衬底的外延层上形成V型槽，且在V型槽中形成栅极氧化层和栅极的流程，其特征在于，所述在V型槽中形成栅极氧化层的流程包括：在形成有V型槽的外延层表面生长第一栅极氧化层；在所述第一栅极氧化层的表面进行保护层的淀积，并对所述保护层采用刻蚀工艺，去除所述V型槽底部的保护层；在所述V型槽底部形成第二栅极氧化层；去除剩余的保护层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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