[发明专利]发光二极管结构在审
| 申请号： | 201310331924.5 | 申请日： | 2013-08-01 |
| 公开（公告）号： | CN103579440A | 公开（公告）日： | 2014-02-12 |
| 发明（设计）人： | 洪国信;陈丁玉;欧震 | 申请（专利权）人： | 晶元光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/38 | 分类号： | H01L33/38 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 史新宏 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一发光二极管结构，包含一基板，一半导体发光迭层位于基板上，其中半导体发光迭层包含一第一半导体层、一第二半导体层与第一半导体层的电性相异、及一主动层介于第一半导体层及第二半导体层之间，一第一电极与第一半导体层电性相连，及一第二电极与第二半导体层电性相连，其中，第一电极包含一接触区与一延伸区，接触区具有与第一半导体层相对的一第一表面，延伸区具有与第一半导体层相对的一第二表面，第一表面及第二表面具有相异的粗糙度，且第一表面的反射率小于第二表面的反射率。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 结构 | ||
【主权项】：
一发光二极管结构，包含：一基板；一半导体发光迭层位于该基板上，其中该半导体发光迭层包含一第一半导体层、一第二半导体层与该第一半导体层的电性相异、及一主动层介于该第一半导体层及该第二半导体层之间；一第一电极与该第一半导体层电性相连；及一第二电极与该第二半导体层电性相连；其中，该第一电极包含一接触区与一延伸区，该接触区具有与该第一半导体层相对的一第一表面，该延伸区具有与该第一半导体层相对的一第二表面，该第一表面及该第二表面具有相异的粗糙度，且该第一表面的反射率小于该第二表面的反射率。
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