[发明专利]半导体器件及其控制方法有效
| 申请号： | 201310332545.8 | 申请日： | 2013-07-30 |
| 公开（公告）号： | CN103580606A | 公开（公告）日： | 2014-02-12 |
| 发明（设计）人： | 小泽治;堀口真志;伊藤崇泰 | 申请（专利权）人： | 瑞萨电子株式会社 |
| 主分类号： | H03B5/32 | 分类号： | H03B5/32 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 王茂华 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体器件，该半导体器件包括：第一和第二端子，其分别耦合到晶体谐振器的两端；反相器电路，其具有耦合到第一端子的输入和耦合到第二端子的输出；反馈电阻器，其耦合于第一端子与第二端子之间；可变电容器，其耦合到第一和第二端子中的至少一个端子；以及控制电路。控制电路执行控制以在第二模式中而不是在第一模式中增加反相器电路的驱动能力和可变电容器的电容值二者。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 控制 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：第一端子和第二端子，分别耦合到晶体谐振器的两端；反相器电路，具有耦合到所述第一端子的输入和耦合到所述第二端子的输出；反馈电阻器，其耦合于所述第一端子与所述第二端子之间；可变电容器，耦合到所述第一端子和所述第二端子中的至少一个端子；以及控制电路，其基于指定第一模式和第二模式中的每个模式的模式信号来控制所述反相器电路的驱动能力和所述可变电容器的电容值，其中所述控制电路执行控制以在所述第二模式中而不是在所述第一模式中增加所述反相器电路的所述驱动能力和所述可变电容器的所述电容值二者。
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