[发明专利]一种硅通孔内通过热氧化形成超厚绝缘层的方法有效
| 申请号： | 201310332952.9 | 申请日： | 2013-08-02 |
| 公开（公告）号： | CN103400798A | 公开（公告）日： | 2013-11-20 |
| 发明（设计）人： | 靖向萌;于大全 | 申请（专利权）人： | 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海海颂知识产权代理事务所(普通合伙) 31258 | 代理人： | 任益 |
| 地址： | 214135 江苏省无锡市菱*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种硅通孔内通过热氧化形成超厚绝缘层的方法，其针对的问题是在热氧化方法生成二氧化硅绝缘层的过程中，氧化层厚度超过1微米后，氧化速度降低很多，难以形成更加厚的氧化硅绝缘层。本发明通过在衬底(10)内，形成孔(101)以及环形硅区域(20)，该环形硅区域(20)环绕孔(101)同心圆状分布；通过深刻蚀工艺，在硅通孔侧壁刻蚀成环形，然后将环形的硅氧化获得氧化硅绝缘层。考虑到硅通过形成氧化硅的体积变化比例，以一定的间隔比例，通过深刻蚀形成周期性的圆环结构，再采用热氧化的方式，将硅圆环氧化，得到所需氧化层的厚度。通过这种方法可以获得厚度不受限制的、可以控制的致密氧化硅绝缘层。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 硅通孔内 通过 氧化 形成 绝缘 方法 | ||
【主权项】：
一种硅通孔内通过热氧化形成超厚绝缘层的方法，其特征在于包括以下步骤：a，提供衬底(10)；b，在衬底(10)内，形成孔(101)以及环形硅区域(20)，所述环形硅区域(20)环绕孔(101)同心圆状分布；c，将硅衬底(10)表面以及环形硅区域(20)内外壁表面进行氧化，最终使氧化硅填充整个环形区域(20)外侧与硅基体之间，并覆盖环形硅区域(20)内表面以及衬底(10)表面。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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