[发明专利]沟槽式金属氧化物半导体场效应管

摘要

本发明公开了一种沟槽式金属氧化物半导体场效应管，其在有源区中每两个相邻的栅沟槽之间具有多个沟槽式源-体接触结构，可以在降低栅电荷的同时不影响器件的雪崩特性。

主权项

一种沟槽式金属氧化物半导体场效应管，包括：第一导电类型的衬底；第一导电类型的外延层，位于所述的衬底的上表面，其中所述的外延层的多数载流子的浓度小于所述的衬底；多个第一栅沟槽，位于有源区，形成于所述的外延层中；第二导电类型的体区，位于所述的外延层上方；第一导电类型的源区，位于有源区，且位于所述的体区的上方；和多个沟槽式源‑体接触结构，位于有源区中每两个相邻的第一栅沟槽之间，每个所述的沟槽式源‑体接触结构都填充以金属插塞且延伸入所述的体区，将位于有源区的所述的源区和体区短接至源极金属，其中所述的源区位于沟道区和与其相邻的沟槽式源‑体接触结构之间，而不存在于每两个相邻的沟槽式源‑体接触区之间。