[发明专利]制造包括介电结构的半导体器件的方法有效
| 申请号： | 201310333223.5 | 申请日： | 2013-08-02 |
| 公开（公告）号： | CN103578969A | 公开（公告）日： | 2014-02-12 |
| 发明（设计）人： | M.J.哈特尔;P.S.科赫;D.施勒格尔;G.施密特;R.施特拉泽 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技奥地利有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/31 | 分类号： | H01L21/31;H01L21/3105;H01L21/02 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 王岳;刘春元 |
| 地址： | 奥地利*** | 国省代码： | 奥地利;AT |
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| 摘要： | 本发明涉及制造包括介电结构的半导体器件的方法。介电层沉积在衬底的工作表面上，其中介电层包含聚合物或由聚合物构成。部分地固化所述介电层。使用化学机械抛光工艺去除所述部分地固化的介电层的一部分。然后继续固化所述部分地固化的介电层的剩余部分以形成介电结构。所述部分地固化的介电层在化学机械抛光期间示出高去除速率。利用提供在空腔中的所述介电层的剩余部分，可以高效的方式提供高体积绝缘结构。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 包括 结构 半导体器件 方法 | ||
【主权项】：
一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：提供从工作表面延伸到衬底中的空腔；在工作表面上提供介电层，所述介电层包括介电聚合物并填充所述空腔；部分地固化所述介电层；使用化学机械抛光工艺去除所述部分地固化的介电层的一部分；以及进一步固化所述介电层的剩余部分以形成介电结构。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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