[发明专利]发光二极管及其制造方法有效
| 申请号： | 201310333327.6 | 申请日： | 2013-08-02 |
| 公开（公告）号： | CN104347766B | 公开（公告）日： | 2018-02-16 |
| 发明（设计）人： | 林雅雯;邱镜学;凃博闵;黄世晟 | 申请（专利权）人： | 展晶科技（深圳）有限公司;荣创能源科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/10 | 分类号： | H01L33/10;H01L33/00 |
| 代理公司： | 深圳市鼎言知识产权代理有限公司44311 | 代理人： | 叶小勤 |
| 地址： | 518109 广东省深圳市宝*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种发光二极管，包括基板及形成于所述基板上的一半导体结构，所述半导体结构内形成有呈矩阵设置的多个第一通孔及第二通孔，所述第一通孔与第二通孔为接触重迭且交错的排列。本发明中所述第一通孔及第二通孔与半导体之间的折射率差异使到半导体结构内设置有第一通孔及第二通孔区域内的光线易发生反射，从而使所述半导体结构位于第一通孔及第二通孔的边界处具有光反射功能，当半导体结构产生的光线发射方向为朝向基板时，这些光线遇到导体结构位于第一通孔及第二通孔的边界后，因空气与半导体结构的材料之间的折射系数差异而使光线朝向背离基板折射并继而出射，从而提高发光二极管的光萃取效率。本发明还包括所述发光二极管的制造方法。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种发光二极管，包括基板及形成于所述基板上的一半导体结构，所述半导体结构包括依次形成于所述基板上的一未掺杂的氮化镓层、一N型氮化镓层、一有源层以及一P型氮化镓层，其特征在于：所述未掺杂的氮化镓层内形成有呈矩阵设置的多个第一通孔及第二通孔，所述第一通孔及所述第二通孔均为圆柱状的纵长孔，所述第一通孔沿所述未掺杂的氮化镓层的横向方向间隔设置，所述第二通孔位于所述第一通孔的上方并沿所述未掺杂的氮化镓层的纵向方向间隔设置，且所述第一通孔与所述第二通孔接触重迭。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于展晶科技（深圳）有限公司;荣创能源科技股份有限公司，未经展晶科技（深圳）有限公司;荣创能源科技股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201310333327.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种药贴
- 下一篇：一种复方曲安奈德涂膜剂及其制备方法
