[发明专利]一种阻变存储器的制备方法有效
| 申请号： | 201310333931.9 | 申请日： | 2013-08-02 |
| 公开（公告）号： | CN103441214A | 公开（公告）日： | 2013-12-11 |
| 发明（设计）人： | 张启龙;张剑;杨辉 | 申请（专利权）人： | 浙江大学 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 杭州天勤知识产权代理有限公司 33224 | 代理人： | 胡红娟 |
| 地址： | 310027 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种阻变存储器的制备方法，所述的阻变存储器包括依次组装的底电极、阻变介质层材料及顶电极，所述的阻变介质层材料的制备包括以下步骤：首先按顺序将第一前驱体、第一惰性气体、第二前驱体、第二惰性气体通入反应器中，经过热原子层沉积的一个循环，在底电极上沉积一层单层金属氧化物薄膜；然后对薄膜进行等离子体增强处理；最后循环交替进行上述步骤。本发明在阻变介质层的制备过程中引入了一种全新的原位等离子体增强热原子层沉积技术，可以大范围地调节金属氧化物薄膜的表面形貌及缺陷；制备得到的阻变存储器，可以实现对器件电阻开关特性的精确控制，达到对器件开关比、擦写电压的可调，并具有极佳的阻变稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 存储器 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种阻变存储器的制备方法，所述的阻变存储器包括依次组装的底电极、阻变介质层材料及顶电极，其特征在于，所述的阻变介质层材料的制备包括以下步骤：1）依次将第一前驱体、第一惰性气体、第二前驱体、第二惰性气体通入反应器中，经过热原子层沉积的一个循环，在底电极上沉积一层单层金属氧化物薄膜；2）对步骤1）沉积的单层金属氧化物薄膜进行等离子体增强处理；3）循环交替进行上述的步骤1）和2）；所述的第一前驱体为烷基金属或金属醇盐；所述等离子体产生的射频源功率为30～1500W；所述等离子体发生气体的流量为5～200标况毫升/分；所述等离子体增强处理时间为3～50s/循环。
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