[发明专利]一种可控定向生长石墨烯的方法及由该方法制备的石墨烯在审
| 申请号： | 201310334851.5 | 申请日： | 2013-08-02 |
| 公开（公告）号： | CN104163418A | 公开（公告）日： | 2014-11-26 |
| 发明（设计）人： | 张宇;邓少芝;许宁生 | 申请（专利权）人： | 中山大学 |
| 主分类号： | C01B31/04 | 分类号： | C01B31/04 |
| 代理公司： | 广州新诺专利商标事务所有限公司 44100 | 代理人： | 华辉;刘菁菁 |
| 地址： | 510275 *** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种基于等离子体化学气相沉积原理在不同形状衬底上可控定向生长石墨烯的方法。将衬底材料放置于密封腔体中，通入气体并等离子体化，保持低气压并加热衬底材料和在衬底上施加偏置电压。当升温至所需的生长温度时，通入碳基化合物气体以形成等离子体，使其碳基分子裂解在衬底上生成石墨烯。通过控制偏置电压、气体压强、衬底表面形状等，使石墨烯获得沿指定方向生长的能量，实现石墨烯在衬底上取向生长。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 可控 定向 生长 石墨 方法 制备 | ||
【主权项】：
一种可控定向生长石墨烯的方法，包括如下步骤：（1）将衬底置于带可施加偏置电压装置的反应腔体中，其中放置衬底的样品架同时作为负电极板，封闭所述反应腔体并抽至低真空状态，通入氢气，并保持气压在低压状态；（2）打开等离子发生源，将氢气等离子体化，同时加热衬底至生长温度；（3）在偏置电压装置的正电极板与负电极板间施加偏置电压；（4）通入碳基化合物气体，使碳基化合物等离子体化，并维持一定的压强、偏置电压、温度和生长时间，生长定向石墨烯；（5）关闭等离子发生源，关闭偏置电压，关闭气体，待自然降温至室温后取出衬底。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中山大学，未经中山大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201310334851.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
