[发明专利]半导体装置无效
| 申请号： | 201310334981.9 | 申请日： | 2009-04-10 |
| 公开（公告）号： | CN103489919A | 公开（公告）日： | 2014-01-01 |
| 发明（设计）人： | 大见忠弘;寺本章伸;黑田理人 | 申请（专利权）人： | 国立大学法人东北大学;财团法人国际科学振兴财团 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/04;H01L29/45;H01L27/12;H01L27/092 |
| 代理公司： | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人： | 申健 |
| 地址： | 日本宫城县仙台*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 在反型晶体管或本征型晶体管、以及半导体层的积累层电流控制型积累型晶体管中，由于杂质原子浓度的统计偏差，阈值电压的偏差在微细化世代变大，难以确保LSI的可靠性。可以得到通过控制半导体层的膜厚和杂质原子浓度而形成的大电流控制积累型晶体管，使得耗尽层的厚度大于半导体层的膜厚。例如，通过使半导体层的膜厚为100nm并且杂质浓度高于2×1017[cm-3]，阈值偏差的标准偏差可以小于电源电压的偏差。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
一种积累型晶体管，是包括沟道区域及设在其两端的源极、漏极区域的晶体管，是由n型半导体构成所述沟道区域并且载流子为电子、或者由p型半导体构成所述沟道区域并且载流子为空穴的积累型晶体管，其特征在于，仅在所述沟道区域中的栅极绝缘膜/硅界面以外的区域传导载流子，并且包括可以利用施加在栅极电极的电压对流过漏极电极的电流进行2位以上控制的动作区域。
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