[发明专利]一种弧形底电极薄膜太阳电池有效
申请号: | 201310335067.6 | 申请日: | 2013-08-02 |
公开(公告)号: | CN103367514A | 公开(公告)日: | 2013-10-23 |
发明(设计)人: | 花国然;王强;邓洁;管图华 | 申请(专利权)人: | 南通大学 |
主分类号: | H01L31/075 | 分类号: | H01L31/075;H01L31/0352;H01L31/0376;H01L31/20 |
代理公司: | 南京同泽专利事务所(特殊普通合伙) 32245 | 代理人: | 石敏 |
地址: | 226019 江苏省南*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 弧形底电极薄膜太阳电池,从上至下包括依次连接的金属顶电极、透明导电薄膜、P型非晶硅薄膜、本征非晶硅薄膜、N型非晶硅薄膜、金属底电极、衬底,金属底电极的上表面具有若干金属导电凸棱,凸棱上方的N型非晶硅薄膜、本征非晶硅薄膜、P型非晶硅薄膜、透明导电薄膜具有向上凸起的条状鼓包,金属顶电极设置于透明导电薄膜的条状鼓包的两侧。本发明电池的底电极具有弧形或类弧形凸棱,该凸棱深入薄膜内,提高电极对电流的收集能力;底电极上后续淀积的薄膜材料在凸棱对应位置形成的弧形鼓包,增加了薄膜电池的面积,增加了电池的受光面;薄膜的鼓包形成凸透镜,对入射光具有汇聚的作用,提高了电池对光的吸收和利用,进一步提高电池的转换效率。 | ||
搜索关键词: | 一种 弧形 电极 薄膜 太阳电池 | ||
【主权项】:
一种弧形底电极薄膜太阳电池,其特征在于:从上至下包括依次连接的金属顶电极、透明导电薄膜、P型非晶硅薄膜、本征非晶硅薄膜、N型非晶硅薄膜、金属底电极、衬底,所述金属底电极的上表面具有若干金属导电凸棱,所述凸棱上方的N型非晶硅薄膜、本征非晶硅薄膜、P型非晶硅薄膜、透明导电薄膜具有向上凸起的条状鼓包,金属顶电极设置于透明导电薄膜的条状鼓包的两侧。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的