[发明专利]一种去除深沟槽刻蚀工艺后的圆片的硬质掩蔽层的方法

摘要

本发明公开了一种去除深沟槽刻蚀工艺后的圆片的硬质掩蔽层的方法，所述圆片包括已刻蚀出深沟槽的半导体硅衬底和硬质掩蔽层，所述硬质掩蔽层包括氮化硅层和二氧化硅层，所述二氧化硅层位于所述半导体硅衬底和所述氮化硅层之间，所述方法包括：利用刻蚀气体对所述圆片进行干法刻蚀，以去除所述硬质掩蔽层中的氮化硅层；利用湿法药液对所述圆片进行湿法腐蚀，以去除所述硬质掩蔽层中的二氧化硅层。本发明可以有效去除由氮化硅和二氧化硅组成的硬质掩蔽层，保证后续工艺的顺利进行。

主权项

1.一种去除深沟槽刻蚀工艺后的圆片的硬质掩蔽层的方法，所述圆片包括已刻蚀出深沟槽的半导体硅衬底和硬质掩蔽层，所述硬质掩蔽层包括氮化硅层和二氧化硅层，所述二氧化硅层位于所述半导体硅衬底和所述氮化硅层之间，其特征在于，所述方法包括：利用刻蚀气体对所述圆片进行干法刻蚀，以去除所述硬质掩蔽层中的氮化硅层；利用规格Lam490的等离子刻蚀半导体设备对所述圆片进行所述干法刻蚀，所述干法刻蚀的工艺时间依据氮化硅层的厚度和所述刻蚀气体的流量进行调整；利用湿法药液对所述圆片进行湿法腐蚀，以去除所述硬质掩蔽层中的二氧化硅层；清洗去除所述硬质掩蔽层后的圆片；所述深沟槽的深度大于500μm；所述干法刻蚀的类型为等离子体刻蚀或者反应离子刻蚀；所述刻蚀气体为六氟化硫（SF6）；所述湿法药液包括BOE药液，所述BOE药液由氢氟酸与氟化氨混合而成，所述湿法腐蚀的工艺时间依据二氧化硅层的厚度和所述湿法药液所含成分的比例进行调整。