[发明专利]一种半导体器件及其制造方法在审
| 申请号： | 201310335582.4 | 申请日： | 2013-08-02 |
| 公开（公告）号： | CN104347548A | 公开（公告）日： | 2015-02-11 |
| 发明（设计）人： | 李广宁;沈哲敏 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/48 | 分类号： | H01L23/48;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 董巍;高伟 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体器件的制造方法，包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底中形成硅通孔；在所述硅通孔的侧壁和底部形成铜导电层，以部分填充所述硅通孔；在所述硅通孔中形成应力吸收层，所述应力吸收层嵌入所述铜导电层中且顶部平整并低于所述硅通孔的顶部；在所述应力吸收层的顶部形成铜帽层，以完全填充所述硅通孔；执行化学机械研磨直至露出硅通孔的顶部。根据本发明，在硅通孔中填充应力吸收层，可以明显减小衬垫层、阻挡层、铜种子层和铜导电层之间界面处的内部应力，避免分层现象的出现。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件的制造方法，包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底中形成硅通孔；在所述硅通孔的侧壁和底部形成铜导电层，以部分填充所述硅通孔；在所述硅通孔中形成应力吸收层，所述应力吸收层嵌入所述铜导电层中且顶部平整并低于所述硅通孔的顶部；在所述应力吸收层的顶部形成铜帽层，以完全填充所述硅通孔。
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