[发明专利]薄膜晶体管阵列基板

摘要

本发明公开了一种薄膜晶体管阵列基板，其中多个薄膜晶体管各包括有栅极、栅极绝缘层、非晶质氧化物半导体层及源极/漏极。非晶质氧化物半导体层包括例如铟、镓和锌氧化物(a‑IGZO)的非晶质氧化物半导体材料。第一绝缘层位于薄膜晶体管和透明基板上方,有多个接触孔分别贯穿第一绝缘层并露出对应的源极/漏极。共同电极位于第一绝缘层上。第二绝缘层覆盖共同电极。像素电极位于第二绝缘层上并对应通过所述接触孔和源极/漏极接触。因为使用非晶质氧化物半导体层及使用厚的绝缘层覆盖于非晶质氧化物半导体层上，可使共同电极与栅极线或数据线重叠，而使像素结构增加开口率，且可使用涂布方式形成前述厚的绝缘层，工艺中不损害非晶质氧化物半导体层。

主权项

一种薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，包括：透明基板；多个薄膜晶体管，位于该透明基板上，该些薄膜晶体管各包括：栅极，位于该透明基板上，栅极绝缘层，位于该栅极上，并且覆盖该透明基板，非晶质氧化物半导体层，位于该栅极绝缘层上，及一对源极/漏极位于该半导体层两侧，该对源极/漏极各有一部分与该非晶质氧化物半导体层重叠；第一绝缘层，覆盖于所述薄膜晶体管和该透明基板上方，该第一绝缘层包含聚硅氧烷系列，硅氧系列或压克力系列的材质，该第一绝缘层直接接触该非晶质氧化物半导体层，该第一绝缘层的厚度为1至5微米且该第一绝缘层是采用涂布工艺形成的；多个接触孔，分别贯穿该第一绝缘层并分别露出该对源极/漏极的一个；共同电极，位于该第一绝缘层上并露出该些接触孔；第二绝缘层，覆盖该共同电极且该第二绝缘层完全与该共同电极的全部上表面接触；及多个像素电极，分别位于该第二绝缘层上并填入该些接触孔以和露出的源极/漏极接触。