[发明专利]太阳电池阵用玻璃盖片的制备方法有效
申请号: | 201310336630.1 | 申请日: | 2013-08-05 |
公开(公告)号: | CN104347755A | 公开(公告)日: | 2015-02-11 |
发明(设计)人: | 赵宇;肖志斌;铁剑锐;许军 | 申请(专利权)人: | 天津恒电空间电源有限公司;中国电子科技集团公司第十八研究所 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18 |
代理公司: | 天津市鼎和专利商标代理有限公司 12101 | 代理人: | 李凤 |
地址: | 300384 天津市滨海*** | 国省代码: | 天津;12 |
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摘要: | 本发明涉及一种太阳电池阵用玻璃盖片的制备方法,包括在复数个长方形玻璃衬底一面依次蒸镀氟化镁薄膜、ITO薄膜,在ITO薄膜上蒸镀电极后制成的单体玻璃盖片,用互联条将复数个单体玻璃盖片串联成一体,其特点是:在氟化镁薄膜上蒸镀纳米级ITO薄膜、对ITO薄膜进行退火处理。本发明采用全自动电子束加热真空蒸镀机,通过精确控制ITO材料的加热温度、蒸发速率和充氧含量,在氟化镁薄膜上蒸镀出厚度为纳米级的ITO薄膜,既保护了电池阵,使其不受恶劣环境的侵害,又不影响电池阵的光电转换效率;通过对ITO薄膜进行退火处理,确保了ITO薄膜与氟化镁薄膜之间的结合能力,ITO薄膜不脱落,提高了ITO薄膜的牢固度。 | ||
搜索关键词: | 太阳电池 玻璃 制备 方法 | ||
【主权项】:
太阳电池阵用玻璃盖片的制备方法,包括在复数个长方形玻璃衬底一面蒸镀氟化镁薄膜、在氟化镁薄膜上蒸镀ITO薄膜、在ITO薄膜上蒸镀电极后制成的单体玻璃盖片,用互联条将复数个单体玻璃盖片串联成一体,其特征在于:ITO薄膜制作过程包括:⑴ITO置入坩埚,坩埚置入蒸发器中,采用全自动电子束加热真空蒸镀机,设置蒸发器的加热温度250‑300℃、蒸发速率0.5‑0.8nm/s、充氧含量30‑50mbar,ITO材料在氟化镁薄膜上蒸镀出8‑15nm厚的ITO薄膜;⑵将蒸镀有ITO薄膜的玻璃衬底放在加热炉的托盘中,在大气中进行200‑350℃、30‑40min的退火处理,自然冷却到室温。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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