[发明专利]非易失性存储器件及其制造方法

摘要

非易失性存储器件包括：存储栅，包括被设置在衬底之上的存储层和被设置在存储层之上的栅电极，存储栅具有被分别设置在存储栅的第一侧和第二侧的对置的第一侧壁和第二侧壁；第一选择栅和第二选择栅，被设置在存储栅的第一侧壁和第二侧壁上；源极区，被形成在衬底中与存储栅的第一侧壁相邻；漏极区，被形成在衬底中与存储栅的第二侧壁相邻；以及栅极接触，与存储栅的栅电极耦接，并且与第一选择栅或第二选择栅、或者与第一选择栅和第二选择栅耦接。

主权项

一种非易失性存储器件，包括：存储栅，所述存储栅包括设置在衬底之上的存储层和设置在所述存储层之上的栅电极，所述存储栅具有被分别设置在所述存储栅的第一侧和第二侧的对置的第一侧壁和第二侧壁；第一选择栅和第二选择栅，所述第一选择栅和第二选择栅被设置在所述存储栅的所述第一侧壁和所述第二侧壁上；源极区，所述源极区被形成在所述衬底中与所述存储栅的所述第一侧壁相邻；漏极区，所述漏极区被形成在所述衬底中与所述存储栅的所述第二侧壁相邻；以及栅极接触，所述栅极接触与所述存储栅的所述栅电极耦接，并且与所述第一选择栅或所述第二选择栅、或者与所述第一选择栅和所述第二选择栅耦接。