[发明专利]一种冗余图形填充方法有效
申请号: | 201310337015.2 | 申请日: | 2013-08-02 |
公开(公告)号: | CN103441096A | 公开(公告)日: | 2013-12-11 |
发明(设计)人: | 阚欢;张旭昇;魏芳 | 申请(专利权)人: | 上海华力微电子有限公司 |
主分类号: | H01L21/768 | 分类号: | H01L21/768 |
代理公司: | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人: | 竺路玲 |
地址: | 201210 上海市浦*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明公开了一种冗余图形填充方法,通过将版图划分为空旷区域和非空旷区域,针对空旷区域采用传统的填充方法进行填充,而针对非空旷区域,首先将非空旷区域的空白区域各边向内缩小一定距离,得到和空白区域形状相同的图形,将不符合尺寸要求的图形予以滤除,并将剩余的图形进行填充。本发明将版图划分为空旷区域和非空旷区域,并根据区域的不同采取不同的填充方法,提高了冗余图形填充率和整个版图图形密度的均一性,最终提高硅片在化学机械研磨的均一性,进而提升生产工艺。 | ||
搜索关键词: | 一种 冗余 图形 填充 方法 | ||
【主权项】:
一种冗余图形填充方法,其特征在于,所述方法包括:提供一需要图形填充的版图,且该版图上包括主图形、空旷区域和非空旷区域,且该非空旷区域包含有多块空白区域;采用一种或多种多边形的冗余图形对所述空旷区域进行填充;采用与所述空白区域形状相适应的冗余图形对所述非空旷区域进行填充;其中,根据工艺需求设定一标准距离值d,所述版图中与所述主图形之间的距离值大于所述标准距离值d的区域为空旷区域,所述版图中与所述主图形之间的距离小于或等于所述标准距离值d的区域为非空旷区域。
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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