[发明专利]半导体结构的形成方法

摘要

一种半导体结构的形成方法，包括：提供半导体衬底；在半导体衬底表面形成第一停止层、位于第一停止层表面的第一牺牲层、位于所述第一牺牲层的表面的第二停止层、位于所述第二停止层表面的第二牺牲层；刻蚀所述第二牺牲层、第二停止层、第一牺牲层、第一停止层和半导体衬底，形成凹槽；在凹槽内填充绝缘介质材料，形成表面与第二牺牲层的表面齐平的隔离结构；去除所述第二牺牲层，暴露出部分隔离结构的侧壁和顶面；去除所述第二停止层，同时刻蚀所述暴露的部分隔离结构，使隔离结构的顶部宽度减小；去除第一牺牲层，在所述第一氧化物层表面形成浮栅。上述方法可以提高形成的浮栅的质量。

主权项

1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底表面形成第一停止层、位于第一停止层表面的第一牺牲层、位于所述第一牺牲层的表面的第二停止层、位于所述第二停止层表面的第二牺牲层；刻蚀所述第二牺牲层、第二停止层、第一牺牲层、第一停止层和半导体衬底，形成凹槽；在所述凹槽内填充绝缘介质材料，形成隔离结构，所述隔离结构的表面与第二牺牲层的表面齐平；去除所述第二牺牲层，暴露出部分隔离结构的侧壁和顶面；采用干法刻蚀去除所述第二停止层，同时刻蚀所述暴露的部分隔离结构，使所述隔离结构的顶部呈圆弧状，侧壁呈阶梯状，且所述隔离结构位于第一牺牲层上方的部分的宽度从靠近第一牺牲层位置处至离结构顶部逐渐减小，所述干法刻蚀采用的刻蚀气体为CF4，缓冲气体为He，压强为20～200mTorr，其中CF4的流速为50sccm～1000sccm，He的流速为50sccm～1000sccm；去除所述第一牺牲层，在所述第一停止层表面形成浮栅。