[发明专利]一种量子点修饰ZnO纳米棒阵列电极及其制备方法有效
| 申请号： | 201310337248.2 | 申请日： | 2013-08-05 |
| 公开（公告）号： | CN103400699A | 公开（公告）日： | 2013-11-20 |
| 发明（设计）人： | 刘丹青;刘绍琴;杨彬 | 申请（专利权）人： | 哈尔滨工业大学 |
| 主分类号： | H01G9/20 | 分类号： | H01G9/20;H01G9/042;H01B5/00;H01B13/00;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 哈尔滨市松花江专利商标事务所 23109 | 代理人： | 牟永林 |
| 地址： | 150001 黑龙*** | 国省代码： | 黑龙江;23 |
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| 摘要： | 一种量子点修饰ZnO纳米棒阵列电极及其制备方法，它涉及一种阵列电极及其制备方法。本发明是要解决ZnO纳米材料在可见光下光催化效率低，对太阳光的利用率低的技术问题。本发明的制备方法按以下步骤进行：一、以导电玻璃为基底，采用水热法制得高度有序的ZnO纳米棒阵列；二、在上述ZnO纳米棒阵列表面交替沉积聚电解质和量子点颗粒，获得均匀包覆的量子点修饰ZnO纳米棒阵列电极。本发明制备光电极的方法对ZnO纳米棒阵列的长度和包覆的量子点的厚度可控；本发明制得的电极在可见光照射下，表现出良好的光电催化活性和可见光响应特性。本发明用于光电催化降解环境污染物、光电催化合成和光解水产氢领域。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 量子 修饰 zno 纳米 阵列 电极 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种量子点修饰ZnO纳米棒阵列电极，其特征在于一种量子点修饰ZnO纳米棒阵列电极包括基底、ZnO纳米棒阵列和量子点包覆层；其中，所述基底为导电基底，所述的ZnO纳米棒阵列是由浓度为0.08～0.12M的六水硝酸锌和浓度为0.08～0.12M的六次甲基四胺制成的，所述的六水硝酸锌和六次甲基四胺的体积比为1:1，所述的量子点包覆层由阳离子聚电解质‑邻菲啰啉钴层和量子点纳米颗粒层交替包覆而成，所述的阳离子聚电解质‑邻菲啰啉钴层包覆在ZnO纳米棒阵列上，量子点纳米颗粒层包覆在阳离子聚电解质‑邻菲啰啉钴层上，其中，所述的量子点纳米颗粒层为CdTe纳米颗粒层、CdS纳米颗粒层或CdSe纳米颗粒层。
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