[发明专利]不同结构的深沟槽平坦化方法有效

专利信息
申请号: 201310338016.9 申请日: 2013-08-05
公开(公告)号: CN104347346B 公开(公告)日: 2017-06-06
发明(设计)人: 钱志刚;刘继全;唐锦来 申请(专利权)人: 上海华虹宏力半导体制造有限公司
主分类号: H01L21/02 分类号: H01L21/02;H01L21/306;H01L21/3105;H01L21/311;H01L21/336
代理公司: 上海浦一知识产权代理有限公司31211 代理人: 高月红
地址: 201203 上海市浦东*** 国省代码: 上海;31
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明公开了一种不同结构的深沟槽平坦化方法,包括1)在硅衬底上,淀积一层阻挡层;2)在阻挡层上淀积光刻胶,显影后,刻蚀阻挡层,露出后续流程需要刻蚀沟槽的硅衬底;3)在硅衬底上,刻蚀具有不同宽度和深度的深沟槽的图形;4)利用选择性外延生长,进行硅的深沟槽填充;5)在硅片上淀积一层多晶硅埋层,覆盖整个硅片表面;6)将位于阻挡层上方的多晶硅去除。本发明具有以下势1)可有效保护阻挡层,增加工艺窗口;2)可利用多晶硅至阻挡层的膜层转换,利用终点检测方式更精确的控制工艺;3)表面形貌均匀,可以避免缺陷产生,提高良率。
搜索关键词: 不同 结构 深沟 平坦 方法
【主权项】:
一种不同结构的深沟槽平坦化方法,其特征在于,包括步骤:1)在硅衬底上,淀积一层阻挡层;2)在阻挡层上淀积光刻胶,显影后,刻蚀阻挡层,露出后续流程需要刻蚀沟槽的硅衬底;3)在硅衬底上,刻蚀具有不同宽度和深度的深沟槽的图形;4)利用选择性外延生长,进行硅的深沟槽填充;5)在硅片上淀积一层多晶硅埋层,覆盖整个硅片表面;6)将位于阻挡层上方的多晶硅去除;去除的目标为:至少将所述填充深沟槽的硅研磨或刻蚀至与所述阻挡层的上表面齐平,所述填充深沟槽的硅的上表面等于或低于所述阻挡层的上表面。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海华虹宏力半导体制造有限公司,未经上海华虹宏力半导体制造有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201310338016.9/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top