[发明专利]不同结构的深沟槽平坦化方法有效
| 申请号： | 201310338016.9 | 申请日： | 2013-08-05 |
| 公开（公告）号： | CN104347346B | 公开（公告）日： | 2017-06-06 |
| 发明（设计）人： | 钱志刚;刘继全;唐锦来 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/306;H01L21/3105;H01L21/311;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司31211 | 代理人： | 高月红 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种不同结构的深沟槽平坦化方法，包括1）在硅衬底上，淀积一层阻挡层；2）在阻挡层上淀积光刻胶，显影后，刻蚀阻挡层，露出后续流程需要刻蚀沟槽的硅衬底；3）在硅衬底上，刻蚀具有不同宽度和深度的深沟槽的图形；4）利用选择性外延生长，进行硅的深沟槽填充；5）在硅片上淀积一层多晶硅埋层，覆盖整个硅片表面；6）将位于阻挡层上方的多晶硅去除。本发明具有以下势1）可有效保护阻挡层，增加工艺窗口；2）可利用多晶硅至阻挡层的膜层转换，利用终点检测方式更精确的控制工艺；3）表面形貌均匀，可以避免缺陷产生，提高良率。 | ||
| 搜索关键词： | 不同 结构 深沟 平坦 方法 | ||
【主权项】：
一种不同结构的深沟槽平坦化方法，其特征在于，包括步骤：1)在硅衬底上，淀积一层阻挡层；2)在阻挡层上淀积光刻胶，显影后，刻蚀阻挡层，露出后续流程需要刻蚀沟槽的硅衬底；3)在硅衬底上，刻蚀具有不同宽度和深度的深沟槽的图形；4)利用选择性外延生长，进行硅的深沟槽填充；5)在硅片上淀积一层多晶硅埋层，覆盖整个硅片表面；6)将位于阻挡层上方的多晶硅去除；去除的目标为：至少将所述填充深沟槽的硅研磨或刻蚀至与所述阻挡层的上表面齐平，所述填充深沟槽的硅的上表面等于或低于所述阻挡层的上表面。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海华虹宏力半导体制造有限公司，未经上海华虹宏力半导体制造有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201310338016.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
