[发明专利]一种多晶制绒高温碱清洗方法有效
| 申请号： | 201310338043.6 | 申请日： | 2013-08-06 |
| 公开（公告）号： | CN103367118A | 公开（公告）日： | 2013-10-23 |
| 发明（设计）人： | 张风雷;何伟;苗成祥;魏青竹;保罗 | 申请（专利权）人： | 中利腾晖光伏科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;B08B3/08 |
| 代理公司： | 苏州华博知识产权代理有限公司 32232 | 代理人： | 黄珩 |
| 地址： | 215542 江苏省苏州*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种多晶制绒高温碱清洗方法，所述方法采用高温碱溶液对酸制绒后的硅片进行碱清洗。本发明在高温碱清洗条件下能够彻底去除酸制绒所产生的多孔硅和比较尖锐的微结构，从而提升制绒后硅片的少子寿命，最终得到电池效率的提高。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 多晶 高温 清洗 方法 | ||
【主权项】：
一种多晶制绒高温碱清洗方法，其特征在于，所述方法采用高温碱溶液对酸制绒后的硅片进行碱清洗。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
