[发明专利]磁隧道结及其形成方法、磁性随机存储器及其形成方法

摘要

一种磁隧道结及其形成方法、磁性随机存储器及其形成方法，其中磁性随机存储器包括：基底；晶体管，所述晶体管包括源极、漏极和栅极；覆盖晶体管和基底的第一层间介质层；字线；覆盖第一层间介质层和字线的第二层间介质层；导电层；位于第一层间介质层和第二层间介质层中的第一插塞，第一插塞电连接所述导电层和漏极；位于导电层上的磁隧道结，磁隧道结位于字线上方，磁隧道结包括自由层、被钉扎层、位于自由层和被钉扎层之间的隧道膜；位线，位线和磁隧道结通过第二插塞电连接；磁隧道结的侧壁光滑连接。本发明提供的磁性随机存储器的写入和读取速率快、不同存储状态下MTJ的电阻值的差值大，且MTJ不同位置处的电阻值相同。

主权项

一种磁隧道结的形成方法，其特征在于，包括：提供磁隧道结层，所述磁隧道结层包括自由层、被钉扎层、位于自由层和被钉扎层之间的隧道膜；在所述磁隧道结层上形成掩膜层；刻蚀所述掩膜层，形成多个第一掩膜单元，所述第一掩膜单元呈长方体；对所述第一掩膜单元的侧壁进行各向同性刻蚀，形成第二掩膜单元，所述第二掩膜单元的侧壁光滑连接，所述第二掩膜单元定义磁隧道结的位置；以所述第二掩膜单元为掩膜，刻蚀所述磁隧道结层，形成磁隧道结。