[发明专利]先封后蚀芯片倒装凸点三维系统级金属线路板及工艺方法有效
申请号: | 201310340419.7 | 申请日: | 2013-08-06 |
公开(公告)号: | CN103400770A | 公开(公告)日: | 2013-11-20 |
发明(设计)人: | 梁新夫;梁志忠;林煜斌;王亚琴;张友海 | 申请(专利权)人: | 江苏长电科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/48 | 分类号: | H01L21/48;H01L21/56;H01L23/495;H01L23/31 |
代理公司: | 江阴市同盛专利事务所(普通合伙) 32210 | 代理人: | 唐纫兰 |
地址: | 214434 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明涉及一种先封后蚀芯片倒装凸点三维系统级金属线路板及工艺方法,所述结构包括金属基板框(1),所述金属基板框(1)正面设置有引脚(3),所述引脚(3)正面设置有导电柱子(4),所述引脚(3)与引脚(3)之间通过底部填充胶倒装有芯片(5),所述引脚(3)、导电柱子(4)和芯片(5)外围区域包封有塑封料(7),所述塑封料(7)与导电柱子(4)顶部齐平,所述金属基板框(1)、引脚(3)和导电柱子(4)露出塑封料(7)的表面设置有抗氧化层(6),所述导电柱子(4)顶部设置有金属球(17)。一种先封后蚀芯片倒装凸点三维系统级金属线路板及工艺方法,它能够解决传统金属引线框无法埋入物件而限制金属引线框的功能性和应用性能。 | ||
搜索关键词: | 先封后蚀 芯片 倒装 三维 系统 金属 线路板 工艺 方法 | ||
【主权项】:
一种先封后蚀芯片倒装凸点三维系统级金属线路板的工艺方法,其特征在于所述方法包括以下步骤:步骤一、取金属基板步骤二、金属基板表面预镀铜材在金属基板表面预镀一层铜材;步骤三、贴光阻膜作业在步骤二完成预镀铜材的金属基板正面及背面分别贴上可进行曝光显影的光阻膜;步骤四、金属基板正面去除部分光阻膜利用曝光显影设备将步骤三完成贴光阻膜作业的金属基板正面进行图形曝光、显影与去除部分图形光阻膜,以露出金属基板正面后续需要进行金属线路层电镀的区域;步骤五、电镀金属线路层在步骤四中金属基板正面去除部分光阻膜的区域内电镀上金属线路层,金属线路层电镀完成后即在金属基板正面形成相应的基岛和引脚;步骤六、贴光阻膜作业在步骤五完成电镀金属线路层的金属基板正面贴上可进行曝光显影的光阻膜;步骤七、金属基板正面去除部分光阻膜利用曝光显影设备将步骤六完成贴光阻膜作业的金属基板正面进行图形曝光、显影与去除部分图形光阻膜,以露出金属基板正面后续需要进行导电柱子电镀的区域;步骤八、电镀导电柱子在步骤七中金属基板正面去除部分光阻膜的区域内电镀上导电柱子; 步骤九、去除光阻膜去除金属基板表面的光阻膜;步骤十、装片在步骤五形成的基岛和引脚正面通过底部填充胶倒装上芯片;步骤十一、环氧树脂塑封在完成装片后的金属基板正面进行环氧树脂塑封保护;步骤十二、环氧树脂表面研磨在步骤十二完成环氧树脂塑封后进行表面研磨; 步骤十三、贴光阻膜作业在步骤十二完成环氧树脂表面研磨后的金属基板正面和背面贴上可进行曝光显影的光阻膜;步骤十四、金属基板背面去除部分光阻膜参利用曝光显影设备将步骤十三完成贴光阻膜作业的金属基板背面进行图形曝光、显影与去除部分图形光阻膜,以露出金属基板背面后续需要进行蚀刻的区域;步骤十五、蚀刻在步骤十四中金属基板背面去除部分光阻膜的区域进行化学蚀刻;步骤十六、去除光阻膜去除金属基板表面的光阻膜,去除光阻膜的方法采用化学药水软化并采用高压水冲洗即可;步骤十七、电镀抗氧化金属层或披覆抗氧化剂在步骤十七中去除光阻膜后金属基板表面裸露在外的金属表面进行抗氧化金属层电镀或是抗氧化剂披覆;步骤十八、植球在步骤十七完成电镀抗氧化金属层或披覆抗氧化剂的导电柱子顶部植入金属球。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于江苏长电科技股份有限公司,未经江苏长电科技股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201310340419.7/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种韭菜专用生物有机肥及其制备方法
- 下一篇:一种菊粉益生元面包
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造