[发明专利]一种U型围栅隧穿晶体管器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201310340583.8 | 申请日： | 2013-08-06 |
| 公开（公告）号： | CN103413829B | 公开（公告）日： | 2018-04-27 |
| 发明（设计）人： | 王玮;张春敏;王鹏飞;孙清清;张卫 | 申请（专利权）人： | 复旦大学 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海正旦专利代理有限公司31200 | 代理人： | 陆飞,盛志范 |
| 地址： | 200433 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明属于20纳米以下半导体器件技术领域，具体涉及一种隧穿晶体管器件及其制造方法。本发明的U型的围栅隧穿晶体管器件，将多栅结构与U型沟槽结构结合在一起，使栅电极在三个方向包裹住电流沟道，可以得到更小的关断电流，同时，使栅电极包围源区，增加了源区和栅电极重叠的面积，进而增加了线性隧穿的面积，从而可以得到更大的开启电流。进一步地，本发明对原有的FinFET工艺加以改进以适应U型沟槽的形成，使得U型的围栅隧穿晶体管器件可以得到更广泛的应用。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 型围栅隧穿 晶体管 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种U型围栅隧穿晶体管器件，包括：一个具有第一种掺杂类型的半导体衬底；在所述半导体衬底内形成的具有第一种掺杂类型的源区和具有第二种掺杂类型的漏区；其特征在于，还包括：在所述半导体衬底内、介于所述源区与漏区之间形成的U型凹槽；在所述半导体衬底内、所述U型凹槽的底部形成的U型沟道区；覆盖所述U型凹槽形成的栅介质层，且在器件的沟道长度方向的两侧所述栅介质层包围所述U型沟道区和所述源区；覆盖所述栅介质层形成的栅电极，栅电极在U型沟道区之上，且在器件的沟道长度方向的两侧所述栅电极包围所述U型沟道区和所述源区。
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