[发明专利]一种ESD保护器件及其制作方法在审
| 申请号： | 201310340606.5 | 申请日： | 2013-08-06 |
| 公开（公告）号： | CN104347419A | 公开（公告）日： | 2015-02-11 |
| 发明（设计）人： | 赵猛 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L27/04 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所 31219 | 代理人： | 余明伟 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种ESD保护器件及其制作方法，所述制作方法包括步骤：1）于硅衬底表面形成Si1-xGex层，于所述Si1-xGex层表面制作栅极结构，其中，0<x<1；2）通过离子注入工艺及退火工艺于所述Si1-xGex层中形成轻掺杂漏；3）去除所述栅极结构两侧下方的Si1-xGex层，露出所述栅极结构两侧下方的硅衬底；4）采用湿法腐蚀分别于所述栅极结构两侧下方的硅衬底中形成凹槽；5）于所述凹槽中形成轻掺杂半导体层；6）于所述轻掺杂半导体层表面形成重掺杂半导体层，并进行退火使所述重掺杂半导体层内的掺杂离子向所述轻掺杂半导体层及Si1-xGex层推进，形成源区及漏区。本发明在保证器件稳定性能的同时可有效降低ESD保护器件的触发电压。本发明与CMOS工艺兼容，容易实现产业化。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 esd 保护 器件 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种ESD保护器件的制作方法，其特征在于，至少包括以下步骤：1）提供一硅衬底，于所述硅衬底表面形成Si1‑xGex层，于所述Si1‑xGex层表面制作栅极结构，其中，0<x<1；2）通过离子注入工艺及退火工艺于所述Si1‑xGex层中形成轻掺杂漏；3）去除所述栅极结构两侧下方的Si1‑xGex层，露出所述栅极结构两侧下方的硅衬底；4）分别于所述栅极结构两侧下方的硅衬底中形成凹槽；5）于所述凹槽中形成轻掺杂半导体层；6）于所述轻掺杂半导体层表面形成重掺杂半导体层，并进行退火使所述重掺杂半导体层内的掺杂离子向所述轻掺杂半导体层及Si1‑xGex层推进，形成源区及漏区。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
