[发明专利]光检测器及其制造方法有效
申请号: | 201310341672.4 | 申请日: | 2013-08-07 |
公开(公告)号: | CN103474441A | 公开(公告)日: | 2013-12-25 |
发明(设计)人: | 陈德铭;林钦茂 | 申请(专利权)人: | 友达光电股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H01L31/0232;H01L31/18 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 梁挥;鲍俊萍 |
地址: | 中国台湾新竹科*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 一种光检测器及其制造方法,此光检测器包括第一基板以及光转换元件。第一基板具有感应元件阵列,此感应元件阵列用以接收特定波长范围的频谱。光转换元件位于感应元件阵列上,其中光转换元件包括光转换材料层以及经掺杂的光转换材料柱状结构层,经掺杂的光转换材料柱状结构层的发光频谱与特定波长范围重迭,且光转换材料层的发光频谱与特定波长范围不重迭。采用本发明可避免在沉积经掺杂的光转换材料柱状结构层的初期形成不规则的晶粒,进而可改善光散射的问题使影像的分辨率增加。 | ||
搜索关键词: | 检测器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种光检测器,其特征在于,包括:一第一基板,其具有一感应元件阵列,该感应元件阵列用以接收一特定波长范围的频谱;以及一光转换元件,位于该感应元件阵列上,其中该光转换元件包括一光转换材料层以及一经掺杂的光转换材料柱状结构层,该经掺杂的光转换材料柱状结构层的发光频谱与该特定波长范围重迭,且该光转换材料层的发光频谱与该特定波长范围不重迭。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于友达光电股份有限公司,未经友达光电股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201310341672.4/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:发光二极管及其制造方法
- 下一篇:线圈元件
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的