[发明专利]硅基锗激光器及其制备方法有效
| 申请号： | 201310342715.0 | 申请日： | 2013-08-08 |
| 公开（公告）号： | CN103427332A | 公开（公告）日： | 2013-12-04 |
| 发明（设计）人： | 刘智;成步文;李传波;李亚明;薛春来;左玉华;王启明 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01S5/22 | 分类号： | H01S5/22 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 曹玲柱 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种硅基锗激光器及其制备方法。该硅基锗激光器包括：硅材料，具有相应的晶向；锗层，外延生长于硅材料上，包括：锗脊形波导，由刻蚀锗层形成，构成全部或部分的激光谐振腔；p型掺杂区和n型掺杂区，位于锗脊形波导的两侧；p型掺杂区、锗脊形波导和n型掺杂区形成横向p-i-n二极管结构；绝缘介质层，形成于锗脊形波导、p型掺杂区和n型掺杂区的上方；以及p电极和n电极，形成于绝缘介质层的上方，分别与p型掺杂区和n型掺杂区电性连接。本发明采用水平横向p-i-n锗脊形波导结构，硅衬底不需要掺杂，在硅衬底上外延生长的锗层可以有很好的晶体质量，从而有利于硅基锗激光器整体性能的提升。 | ||
| 搜索关键词： | 硅基锗 激光器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种硅基锗激光器，其特征在于，包括：硅材料，具有相应的晶向；锗层，外延生长于所述硅材料上，包括：锗脊形波导，由刻蚀锗层形成；p型掺杂区和n型掺杂区，形成于所述锗脊形波导的两侧；所述p型掺杂区、锗脊形波导和n型掺杂区形成横向p‑i‑n二极管结构，所述锗脊形波导作为有源层构成全部或部分的激光谐振腔；绝缘介质层，形成于所述锗层的上方；以及p电极和n电极，形成于所述绝缘介质层的上方，所述锗脊形波导的两侧，分别与所述p型掺杂区和n型掺杂区电性连接。
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