[发明专利]CMOS晶体管的形成方法

摘要

一种CMOS晶体管的形成方法，包括提供半导体衬底；在所述半导体衬底的第一区域和第二区域形成栅极结构；在所述第一区域的栅极结构两侧的半导体衬底内形成第一凹槽；在所述第一凹槽内填充满第一应力层；在所述第二区域的栅极结构两侧的半导体衬底内形成第二凹槽；在所述第二凹槽内填充满第二应力层，所述第二应力层的应力类型与第一应力层相反；在所述第一栅极结构两侧半导体衬底表面形成第一碳化硅外延层，同时在第二栅极结构两侧半导体衬底表面形成第二碳化硅外延层。本发明能防止CMOS晶体管沟道区出现倒菱锥形尖峰，减小CMOS晶体管的漏电流，提高CMOS晶体管的可靠性以及成品率。

主权项

一种CMOS晶体管的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底包括第一区域和第二区域，所述第一区域的半导体衬底表面形成有第一栅极结构，所述第二区域的半导体衬底表面形成有第二栅极结构；在所述第一栅极结构两侧的半导体衬底内形成第一凹槽；在所述第一凹槽内填充满第一应力层；在所述第二栅极结构两侧的半导体衬底内形成第二凹槽；在所述第二凹槽内填充满第二应力层，所述第二应力层的应力类型与第一应力层的类型相反；在所述第一栅极结构两侧的半导体衬底表面形成第一碳化硅外延层，同时在所述第二栅极结构两侧的半导体衬底表面形成第二碳化硅外延层；对所述第一栅极结构两侧的半导体衬底和第一碳化硅外延层进行掺杂，形成第一源区和第一漏区；对所述第二栅极结构两侧的半导体衬底和第二碳化硅外延层进行掺杂，形成第二源区和第二漏区；在所述第一碳化硅外延层表面淀积第一金属层，同时在第二碳化硅外延层表面淀积第二金属层；对第一金属层和第二金属层进行退火处理，在第一源区和第一漏区表面形成第一金属硅化物层，同时在第二源区和第二漏区表面形成第二金属硅化物层。