[发明专利]一种利用单面曝光机实现双面对准光刻的方法

摘要

一种利用单面曝光机实现双面对准光刻的方法，属于光电技术及微纳加工技术领域，设计掩模板A和掩模板B，分别对应基片的表面a和表面b所需图形，在掩模板A上设计中心对称的内外两层对准标记，内层对准标记在基片尺寸范围内，首先利用掩模板A在基片的表面a进行光刻，接下来利用掩模板A在透明衬底表面进行光刻，将透明衬底上已做好光刻图形的表面与基片做好光刻图形的表面a相对，基片与衬底粘合后，利用掩模板B在基片表面b进行光刻，最后利用加热或溶解的方法将基片与透明衬底分离，得到具有双面对准图形的基片。借助透明衬底完成双面对准，实现利用普通的单面曝光机来实现双面光刻的问题，降低了双面光刻工艺成本。

主权项

一种利用单面曝光机实现双面对准光刻的方法，由以下步骤实现：一、制作第一掩模板（1）和第二掩模板（2），第一掩模板（1）具有中心对称的内层对准标记（1‑1）和外层对准标记（1‑2），分别位于基片图形内和基片图形外，第二掩模板（2）具有与第一掩模板（1）一致的外层对准标记（2‑1）；二、利用第一掩模板（1）在基片上表面（3‑1）进行光刻和刻蚀，制作图形；三、利用第一掩模板（1）在透明衬底（4）表面进行光刻和刻蚀，制作图形；四、通过内层对准标记（1‑1）和透明衬底4的内层对准标记（4‑3），将制作有图形的透明衬底表面（4‑1）和基片上表面（3‑1）进行对准和粘片；五、使透明衬底（4）外层对准标记与第二掩模板（2）外层对准标记（2‑1）重合，利用第二掩模板（2）在基片下表面（3‑2）进行光刻和刻蚀，制作需要的图形；六、将基片（3）与透明衬底（4）分离，得到具有双面对准图形的基片（3）。