[发明专利]一种背照式Si-PIN光电探测器及其制备方法有效
| 申请号： | 201310343246.4 | 申请日： | 2013-08-08 |
| 公开（公告）号： | CN103400887A | 公开（公告）日： | 2013-11-20 |
| 发明（设计）人： | 李伟;郭安然;渠叶君;廖家科;王冲;蒋亚东 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L31/105 | 分类号： | H01L31/105;H01L31/0352;H01L31/18 |
| 代理公司： | 成都华典专利事务所(普通合伙) 51223 | 代理人： | 徐丰;杨保刚 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种背照式Si-PIN光电探测器及其制备方法，其涉及光电探测技术领域中的光电探测器件结构，该光电探测器包括I型衬底1、P区2、P+区3、纳米微结构硅层N区4及上下电极，所述电极包括位于P区2和P+区3上的上端电极5以及位于纳米微结构硅层N区4上的下端电极6。上端电极5用于与外接电路阴极相连接；下端电极6用于与外接电路阳极相连接。该新型Si光电探测器解决了传统Si光电探测器响应度较小、无法响应近红外波段等问题，提高了对可见光及近红外光的吸收率，使响应波段扩展到近红外波段，响应度更高。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 背照式 si pin 光电 探测器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种背照式Si‑PIN光电探测器，包括I型衬底（1）、设置在I型衬底（1）中央上方的P区（2）、位于在I型衬底（1）两侧上方并与P区紧邻的P+区（3）、位于I型衬底背面的N型纳米微结构硅层（4）、位于P型区（2）和P+区（3）上表面的上端电极（5）及位于N型纳米微结构硅层（4）下两侧的下端电极（6）。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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