[发明专利]二极管及电力转换系统有效
| 申请号： | 201310343709.7 | 申请日： | 2013-08-08 |
| 公开（公告）号： | CN103681878A | 公开（公告）日： | 2014-03-26 |
| 发明（设计）人： | 石丸哲也;森睦宏 | 申请（专利权）人： | 株式会社日立制作所 |
| 主分类号： | H01L29/861 | 分类号： | H01L29/861;H01L29/417 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 雒运朴 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种能够利用不伴随耐压的降低且无追加工序的简易方法来降低恢复损失的二极管。该二极管具有：n型的n-漂移层(101)；与n-漂移层(101)邻接的p型的正极p层(102)；n型的负极n层(104)，其与n-漂移层(101)的正极侧邻接设置，且n型杂质的浓度比n-漂移层(101)高；与正极p层(102)欧姆接触的正极电极(107)；及与负极n层(104)欧姆接触的负极电极(108)，在n-漂移层(101)与负极n层(104)之间的与负极n层(104)邻接的位置上，设置低寿命区域层(106)，该低寿命区域层(106)含有与负极n层(104)所含有的n型杂质相同的种类的杂质，且载流子的寿命比负极n层(104)短。 | ||
| 搜索关键词： | 二极管 电力 转换 系统 | ||
【主权项】：
一种二极管，其特征在于，所述二极管具有：第一导电型的第一半导体层；第二导电型的第二半导体层，其与所述第一半导体层邻接设置；所述第一导电型的第三半导体层，其相对于所述第一半导体层而设置在设有所述第二半导体层的一侧的相反侧，且第一导电型的杂质的浓度比所述第一半导体层高；第一电极，其与所述第二半导体层欧姆接触；第二电极，其与所述第三半导体层欧姆接触，在所述第一半导体层与所述第三半导体层之间的与所述第三半导体层邻接的位置设有第四半导体层，该第四半导体层含有与第三半导体层所含有的第一导电型的杂质相同的种类的杂质，且载流子的寿命比所述第三半导体层短。
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