[发明专利]电子器件制造方法、封装制造方法、电子器件和电子设备有效
申请号: | 201310343947.8 | 申请日: | 2013-08-08 |
公开(公告)号: | CN103594384B | 公开(公告)日: | 2017-04-12 |
发明(设计)人: | 镰仓知之 | 申请(专利权)人: | 精工爱普生株式会社 |
主分类号: | H01L21/52 | 分类号: | H01L21/52;H01L21/54;H01L21/50;H01L23/02 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司11127 | 代理人: | 李辉,黄纶伟 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明提供电子器件制造方法、封装制造方法、电子器件和电子设备。本发明的封装的制造方法包括以下的工序准备设置低熔点玻璃(270)的底座基板(210)和盖(259);在减压环境下将低熔点玻璃(270)加热到流动点以上,使低熔点玻璃(270)消泡;在利用低熔点玻璃(270)使底座基板(210)以及盖(250)重合之后,在减压环境下将低熔点玻璃(270)加热到流动点以上,接合底座基板(210)以及盖(250)。 | ||
搜索关键词: | 电子器件 制造 方法 封装 电子设备 | ||
【主权项】:
一种电子器件的制造方法,其特征在于,包括以下的工序:准备至少在一方设置有低熔点玻璃的底座基板以及盖体;在减压环境下将所述低熔点玻璃加热到流动点以上,对所述低熔点玻璃进行消泡;在隔着所述低熔点玻璃使所述底座基板以及所述盖体重合之后,在减压环境下将所述低熔点玻璃加热到流动点以上,接合所述底座基板以及所述盖体;以及在所述接合的工序之前,利用保持部件在所述底座基板上安装功能元件,在所述消泡的工序中,与所述低熔点玻璃的消泡同时,进行煅烧条件没有所述低熔点玻璃的消泡条件严格的所述保持部件的煅烧。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造