[发明专利]光阻层剥离方法及装置无效
申请号: | 201310344113.9 | 申请日: | 2013-08-08 |
公开(公告)号: | CN103399468A | 公开(公告)日: | 2013-11-20 |
发明(设计)人: | 姚江波;莫超德 | 申请(专利权)人: | 深圳市华星光电技术有限公司 |
主分类号: | G03F7/42 | 分类号: | G03F7/42 |
代理公司: | 深圳市德力知识产权代理事务所 44265 | 代理人: | 林才桂 |
地址: | 518132 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本发明提供一种光阻层剥离方法及装置,所述光阻层剥离方法包括:步骤1、提供蚀刻完毕且待去除光阻层的基板(20);步骤2、采用高能量紫外光照射待去除的光阻层,对基板(20)进行全面曝光;步骤3、采用显影液对曝光后的基板(20)进行显影并清洗;步骤4、采用水气二流体、去离子水对该基板(20)上残留的显影液进行清除;步骤5、对清除残留显影液后的基板(20)进行风刀清洗,风刀清洗后,采用热板(27)对该基板(20)进行干燥处理,完成光阻层的去除。本发明的光阻层剥离方法及装置,利用显影液对经过高能量紫外光曝光后的光阻层进行清洗,达到去除光阻层的目的,该光阻层剥离方法工序简单,提高设备利用率,降低生产成本。 | ||
搜索关键词: | 光阻层 剥离 方法 装置 | ||
【主权项】:
一种光阻层剥离方法,其特征在于,包括以下步骤:步骤1、提供蚀刻完毕且待去除光阻层的基板(20);步骤2、采用高能量紫外光照射待去除的光阻层,对基板(20)进行全面曝光;步骤3、采用显影液对曝光后的基板(20)进行显影并清洗;步骤4、采用水气二流体、去离子水对显影液清洗后的基板(20)上残留的显影液进行清除;步骤5、对清除残留显影液后的基板(20)进行风刀清洗,风刀清洗后,采用热板(27)对该基板(20)进行干燥处理,完成光阻层的去除。
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