[发明专利]一种SiC/Co异质复合纳米线的制备方法无效
| 申请号： | 201310344925.3 | 申请日： | 2013-08-08 |
| 公开（公告）号： | CN103397313A | 公开（公告）日： | 2013-11-20 |
| 发明（设计）人： | 王志江;杨宗屿;矫金福;徐用军;姜兆华 | 申请（专利权）人： | 哈尔滨工业大学 |
| 主分类号： | C23C18/08 | 分类号： | C23C18/08 |
| 代理公司： | 哈尔滨市松花江专利商标事务所 23109 | 代理人： | 高会会 |
| 地址： | 150001 黑龙*** | 国省代码： | 黑龙江;23 |
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| 摘要： | 一种SiC/Co异质复合纳米线的制备方法，它涉及一种复合纳米线的制备方法。本发明的目的是要解决现有SiC/Co复合材料化学镀制备方法的存在步骤繁琐、可控性差和沉积粒子尺寸过大的问题。方法：一、混合；二、回流反应；三、磁分离，即得到SiC/Co异质复合纳米线。本发明优点：一、克服传统化学镀存在步骤繁琐和可控性差的问题；二、本发明SiC纳米线表面沉积的Co粒子的尺寸为5nm～10nm。本发明主要用于制备SiC/Co异质复合纳米线。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 sic co 复合 纳米 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种SiC/Co异质复合纳米线的制备方法，其特征在于SiC/Co异质复合纳米线的制备方法是按以下步骤制备的：一、混合：首先将SiC纳米线、含钴化合物加入多元醇中，混匀后得到混合物；步骤一中所述的SiC纳米线与含钴化合物的质量比为1:(0.2～5)；步骤一中所述的SiC纳米线的质量与多元醇的体积比为1mg:(0.1mL～3mL)；二、回流反应：在惰性气体保护下对混合物进行加热，以加热速率为3℃/min～10℃/min加热至沸腾，并回流反应0.1h～2h，得到反应产物；三、磁分离：首先反应产物冷却至室温，然后进行磁分离，对磁分离得到的固体采用去离子水洗2～5次，对洗涤后的固体进行干燥，干燥后即得到SiC/Co异质复合纳米线。
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C18-00 通过液态化合物分解抑或覆层形成化合物溶液分解、且覆层中不留存表面材料反应产物的化学镀覆
C23C18-02 .热分解法
C23C18-14 .辐射分解法，例如光分解、粒子辐射
C23C18-16 .还原法或置换法，例如无电流镀
C23C18-54 .接触镀，即无电流化学镀
C23C18-18 ..待镀材料的预处理
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