[发明专利]一种台湾含笑组织培养繁殖方法

摘要

本发明公开了一种台湾含笑组织培养繁殖方法，该方法包括以下步骤：外植体植株培养；选取外植体并进行消毒；采用改良的WPW培养基培养；将处理后的外植体切割后，进行腋芽初代诱导培养；高压静电场处理；继代增殖培养；生根诱导培养；采用本发明的组织培养繁殖方法，成功获得含根组培苗，增殖倍数为86倍，生根率为82％，平均生根数为3.1条；炼苗成活率达到90％，能够高效的得到台湾含笑种苗，大大满足了市场的需求。

主权项

一种台湾含笑组织培养繁殖方法，包括如下步骤：(1)外植体的准备：3月份将台湾含笑植株进行平茬处理后放入温室培养；(2)外植体选取与消毒：6月份，选取当年生顶稍作为外植体，自来水冲洗干净后，进行消毒；(3)改良WPM培养基的制备：用KNO3200mg/L代替原WPM培养基中的K2SO4，另外添加活性炭浓度为1000mg/L，其他组分均无变化；(4)不定芽的诱导：取步骤(2)中经消毒后的外植体，切割为0.8cm长的茎段，每茎段带一腋芽，接种于不定芽诱导培养基中进行不定芽的诱导，培养温度为20‑26℃，首先在黑暗中培养12小时，然后光照培养20‑25天，光照时间为10‑16小时/天，光照强度为1600‑20001x，所述不定芽诱导培养基为改良WPM培养基，添加的激素水平为：KT‑301mg/L+玉米素0.8mg/L+6‑BA0.1mg/L+GA30.5mg/L；(5)高压静电场HVEF处理：利用高压静电场仪器，对不定芽进行静电场处理，强度优选为10KV/cm，时间0.5小时；(6)继代增殖：将经高压静电场处理的不定芽接入继代增殖培养基，进行继代培养20‑30天，培养温度为20‑26℃得到无根试管苗，光照时间为10‑16小时/天，光照强度为1600‑20001x，继代增殖培养基为改良WPM培养基并添加玉米素0.2mg/L+KT‑300.2mg/L+IBA0.1mg/L；(7)生根培养：将步骤(6)获得的台湾含笑无根试管苗接入生根培养基中进行生根培养20‑30天，培养温度为20‑26℃，光照时间为10‑16小时/天，光照强度为1600‑2000Lx，生根培养基改良WPM培养基并添加IBA3.0mg/L；(8)无菌苗的驯化炼苗。