[发明专利]图像拾取装置和图像拾取系统有效
申请号: | 201310345012.3 | 申请日: | 2013-08-09 |
公开(公告)号: | CN103579274A | 公开(公告)日: | 2014-02-12 |
发明(设计)人: | 岩田旬史;乾文洋;渡边高典;篠原真人 | 申请(专利权)人: | 佳能株式会社 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人: | 欧阳帆 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 公开了图像拾取装置和图像拾取系统。一种图像拾取装置,包括:其中排列像素的像素部分,像素各自包括把信号电荷作为多数载流子的第一导电型的第一半导体区域,和把信号电荷作为少数载流子的第二导电型的第二半导体区域,第二半导体区域邻接到第一半导体区域,第一半导体区域被布置在第二半导体区域和半导体衬底的表面之间。像素部分包括位于基准触点附近的第一类像素和第二类像素。半导体衬底的表面和第一类像素的第二半导体区域之间的距离小于半导体衬底的表面和第二类像素的第二半导体区域之间的距离。 | ||
搜索关键词: | 图像 拾取 装置 系统 | ||
【主权项】:
一种图像拾取装置,包括:其中排列有像素的像素部分,所述像素各自包括把信号电荷作为多数载流子的第一导电型的第一半导体区域,和把信号电荷作为少数载流子的第二导电型的第二半导体区域,第二半导体区域邻接到第一半导体区域,第一半导体区域被布置在第二半导体区域和半导体衬底的表面之间,其中,两个相邻像素的第一半导体区域由第二导电型的第三半导体区域隔开,所述两个相邻像素的第二半导体区域电连接到第三半导体区域,并且,在半导体衬底的所述表面上,设置通过第三半导体区域向第二半导体区域施加基准电位的基准触点;其中,所述像素部分中的所述基准触点的数目小于所述像素部分中的所述像素的数目的四分之一;其中,所述像素部分包括位于每个基准触点附近的第一类像素和第二类像素,并且所述表面和第一类像素的第二半导体区域之间的距离小于所述表面和第二类像素的第二半导体区域之间的距离;并且其中,所述基准触点和第一类像素的第一半导体区域之间的距离小于所述基准触点和第二类像素的第一半导体区域之间的距离。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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