[发明专利]一种硅片合金的制作工艺无效
| 申请号： | 201310345642.0 | 申请日： | 2013-08-09 |
| 公开（公告）号： | CN103441084A | 公开（公告）日： | 2013-12-11 |
| 发明（设计）人： | 吴亚红;陆国华;钟盛鸣 | 申请（专利权）人： | 如皋市日鑫电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60 |
| 代理公司： | 北京一格知识产权代理事务所(普通合伙) 11316 | 代理人： | 滑春生 |
| 地址： | 226500 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种硅片合金的制作工艺，主要为在气体的保护下，在二极管焊接炉中进行合金制得，所述制作工艺是在整流二极管的隧道炉中，使用氮气保护在400±10℃的温度下合金20±3分钟制得合金硅片。本发明的优点在于：只使用氮气，使得生产更为安全；利用整流二极管的隧道炉减少电能源消耗；节约用电；由于使用扩散炉合金时，都是在高温的状态下硅片进炉，同时又是在高温的状态下硅片出炉，从而采用扩散炉硅片会产生一定的应力。在整流二极管的隧道炉中合金减少了硅片应力和变形。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 硅片 合金 制作 工艺 | ||
【主权项】：
一种硅片合金的制作工艺，主要为在气体的保护下，在二极管焊接炉中进行合金制得，其特征在于：所述制作工艺是在整流二极管的隧道炉中，使用氮气保护在400±10℃的温度下合金20±3分钟制得合金硅片。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
