[发明专利]薄膜晶体管及其制造方法在审
| 申请号： | 201310346650.7 | 申请日： | 2013-08-09 |
| 公开（公告）号： | CN104009092A | 公开（公告）日： | 2014-08-27 |
| 发明（设计）人： | 朴承铉;宋俊昊;李宰学 | 申请（专利权）人： | 三星显示有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 王占杰;刘灿强 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明提供了一种薄膜晶体管，其包括：栅电极；设置在栅电极上的栅极绝缘层；设置在栅极绝缘层上的半导体；设置在半导体的沟道上的蚀刻阻挡件；设置在半导体上的源电极；以及设置在半导体上的漏电极。源电极和漏电极中的至少一个不与蚀刻阻挡件叠置。蚀刻阻挡件与半导体的沟道的至少一个尺寸基本上相同。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括：栅电极；设置在栅电极上的栅极绝缘层；设置在栅极绝缘层上的半导体；设置在半导体的沟道上的蚀刻阻挡件；设置在半导体上的源电极；以及设置在半导体上的漏电极，其中，源电极和漏电极中的至少一个不与蚀刻阻挡件叠置，以及其中，蚀刻阻挡件与半导体的沟道的至少一个尺寸基本上相同。
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