[发明专利]ZnO量子点基深紫外传感器及制备方法

摘要

本发明涉及ZnO量子点基深紫外传感器及制备方法。本发明将超细的ZnO量子点网络结构作为光电响应的活跃层，是通过ZnO量子点的制备再到ZnO量子点基深紫外传感器的制备过程。本发明解决了过去所存在的光电流的开关基于ZnO表面发生的氧吸附和解吸附的过程非常缓慢以及器件中设计一个有效的肖特基势垒难度大的缺陷。本发明采用简易的、低成本的自组装工艺设计了一个基于ZnO量子点的新型深紫外探测器件，其展现出高的光谱选择性、稳定的光开关行为、高的光电流响应度和快速的响应速度，具有显著的、快速且稳定的光电流开关特性：光电流开关比大于103，光电流上升和衰减时间都小于1s，提高了UV探测器的响应速度。

主权项

ZnO量子点基深紫外传感器，其特征在于利用超细的ZnO量子点网络结构作为光电响应的活跃层。