[发明专利]N型JFET器件的等效电路及仿真方法在审
| 申请号： | 201310346902.6 | 申请日： | 2013-08-09 |
| 公开（公告）号： | CN104346489A | 公开（公告）日： | 2015-02-11 |
| 发明（设计）人： | 王正楠 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | G06F17/50 | 分类号： | G06F17/50 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 丁纪铁 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种N型JFET器件的等效电路及仿真方法，JFET常被应用于模拟电路与开关电路，其参数尺寸常根据实际需要而有各种变化，传统的各类仿真软件只能提供基本的SPICE模型，其应用受到各种限制，本发明提出一种尺寸可变的N型JFET的等效电路，能方便地模拟出各种尺寸规格的JFET器件，提高模型的仿真精度，缩短设计周期。 | ||
| 搜索关键词： | jfet 器件 等效电路 仿真 方法 | ||
【主权项】：
一种N型JFET器件的等效电路，其特征在于：包含：第一、第二电阻，第一、第二、第三、第四电容以及第一、第二电压控制电流源，其连接关系为：第一电阻的第一端、第一电容的第一端、第二电容的第一端以及两个电压控制电流源的正端连接在一起；第二电阻的第一端、第三电容的第一端、第四电容的第一端以及两个电压控制电流源的负端连接在一起；第一电容的第二端与第三电容的第二端连接在一起，作为所述N型JFET器件的栅极；第二电容的第二端与第四电容的第二端连接在一起，作为所述N型JFET器件的背栅；第一电阻的第二端作为所述N型JFET器件的源极，第二电阻的第二端作为所述N型JFET器件的漏极。
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