[发明专利]具有埋藏鞍形鳍式场效晶体管的SRAM集成电路及其制造方法

摘要

提供一种具有埋藏鞍形鳍式场效晶体管的SRAM集成电路及其制造方法。一种方法，包含于覆盖在硅基板上面的第一氧化物层上沉积光阻，使用光阻形成局部的图案，以在氧化物层上形成两个反相器，每一个反相器具有上拉晶体管、下拉晶体管以及通栅晶体管。该方法涉及在对应于图案的氧化物层中各向异性蚀刻U型信道，且之后在硅层中各向同性蚀刻U型信道，以形成在硅中的鞍型鳍状物。在鞍型鳍状物之上沉积第二氧化物层，且在第二氧化物层之上沉积第一金属层。在第一金属层之上形成接点金属层并平坦化以形成局部互连，局部互连是耦合一个反相器的栅极电极至另一个反相器的上拉和下拉晶体管之间的节点以及至其中一个通栅晶体管的源极/漏极。

主权项

一种制造静态随机存取内存集成电路(IC)的方法，包括：于覆盖在硅基板上面的第一氧化物层上沉积光阻；使用该光阻以形成局部的图案，以在该氧化物层上形成两个上拉晶体管、两个下拉晶体管以及两个通栅晶体管；在对应于该图案的该氧化物层中各向异性蚀刻U型信道；在该硅层中各向同性蚀刻U型信道，以形成在硅中的鞍型鳍状物；在该鞍型鳍状物之上沉积第二氧化物层；以及在该第二氧化物层上沉积第一金属层。