[发明专利]一种基于MEMS工艺的非易失性、非可逆多逻辑复用的逻辑器件无效

专利信息
申请号: 201310347361.9 申请日: 2013-08-09
公开(公告)号: CN103395737A 公开(公告)日: 2013-11-20
发明(设计)人: 娄文忠;丁旭冉;赵越;刘鹏;王辅辅 申请(专利权)人: 北京理工大学
主分类号: B81B7/00 分类号: B81B7/00;B81B7/02
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 100081 *** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明公开了一种基于MEMS工艺的非易失性非可逆多逻辑复用的逻辑器件,该器件包括硅基底、逻辑层、绝缘层和控制开关组层,通过接通控制开关组层中不同的控制电极来断开导线层中的导线,实现其逻辑功能的变化。通过配置逻辑器件的端口可以实现与、或、非不同逻辑功能的输出。本发明涉及半导体器件领域,提高了芯片的逻辑度,降低了逻辑芯片的功耗,实现了一块芯片多种逻辑功能复用。
搜索关键词: 一种 基于 mems 工艺 非易失性 可逆 逻辑 器件
【主权项】:
基于MEMS工艺的非易失性非可逆多逻辑复用的逻辑器件,其组成是:硅基底、逻辑层、绝缘层和控制层;其特征是:以不同方式配置该器件的输出端口可以得到不同的逻辑门器件,可以实现一块芯片的多种逻辑门复用的功能,该逻辑器件的逻辑值是非易失性且变化非可逆;其结构特征是:所述基于MEMS工艺的非易失性非可逆多逻辑复用的逻辑器件的顶层为逻辑层,是一根多端口导线,通过将逻辑层各端口按照一定的规则连接到外部电路,可以实现输出端对输入端与、或、非逻辑功能的输出;中间层为绝缘层,用于保持逻辑层和控制层的绝缘;绝缘层之下为控制层包括基于电热作用的一次性MEMS ON‑OFF双稳态开关器件和四个控制端,底层为硅基底,其中基于电热作用的一次性MEMS ON‑OFF双稳态开关器件作用区位于逻辑层中相邻两个端口之间的一段导线正下方,且与该段导线垂直,四个控制端用于连接外部控制电路,可以根据外部信号使MEMS开关作用,将该开关上方的导线断开,实现逻辑值的变化。
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