[发明专利]Ⅴ-Ⅵ主族金属化合物激光晶体及其制备方法无效
| 申请号： | 201310347426.X | 申请日： | 2013-08-09 |
| 公开（公告）号： | CN103451735A | 公开（公告）日： | 2013-12-18 |
| 发明（设计）人： | 徐军;苏良碧;范晓;蒋先涛;邢海波;马凤凯;唐慧丽 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海硅酸盐研究所 |
| 主分类号： | C30B29/52 | 分类号： | C30B29/52;C30B11/00;C30B15/00 |
| 代理公司： | 上海瀚桥专利代理事务所(普通合伙) 31261 | 代理人： | 曹芳玲;郑优丽 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种Ⅴ-Ⅵ主族金属化合物激光晶体及其制备方法，所述激光晶体的化学组成为MxN3，其中M为Bi和/或Sb，N为Te和/或Se，1.8≤x≤2.2，所述激光晶体的发光中心为反格位缺陷NM或者反格位缺陷MN，所述反格位缺陷NM为晶体生长过程中由于N进入M格位形成的反格位缺陷，所述反格位缺陷MN为晶体生长过程中由于M进入N格位形成的反格位缺陷。 | ||
| 搜索关键词： | 金属 化合物 激光 晶体 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种Ⅴ‑Ⅵ主族金属化合物激光晶体，其特征在于，所述激光晶体的化学组成为MxN3，其中M为Bi和/或Sb，N为Te和/或Se，1.8≤x≤2.2，所述激光晶体的发光中心为反格位缺陷NM或者反格位缺陷MN，所述反格位缺陷NM为晶体生长过程中由于N进入M格位形成的反格位缺陷，所述反格位缺陷MN为晶体生长过程中由于M进入N格位形成的反格位缺陷。
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