[发明专利]多边缘的图案化有效
申请号: | 201310347541.7 | 申请日: | 2011-09-26 |
公开(公告)号: | CN103383912A | 公开(公告)日: | 2013-11-06 |
发明(设计)人: | 谢铭峰;张雅惠;刘如淦;欧宗桦;谢艮轩;林本坚 | 申请(专利权)人: | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/027 | 分类号: | H01L21/027;G03F1/42 |
代理公司: | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人: | 章社杲;孙征 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供了一种具有多个亚分辨率元件的对准标记。每个亚分辨率元件具有小于能被对准工艺中的对准信号检测到的最小分辨率的尺寸。也提供了一种其上具有第一、第二和第三图案的半导体晶圆。第一和第二图案在第一方向上延伸,以及第三图案在垂直于第一方向的第二方向上延伸。通过在第二方向上测量的第一距离将第二图案与第一图案分离。通过在第一方向上测量的第二距离将第三图案与所第一图案分离。通过在第一方向上测量的第三距离将第三图案与第二图案分离。第一距离约等于第三距离。第二距离小于第一距离的两倍。本发明同样涉及了一种多边缘的图案化。 | ||
搜索关键词: | 多边 图案 | ||
【主权项】:
一种半导体器件,包括:形成在半导体晶圆上的第一图案,所述第一图案沿第一方向延伸;形成在所述晶圆上的第二图案,所述第二图案沿所述第一方向延伸并与所述第一图案分离在垂直于所述第一方向的第二方向上测量的第一距离;以及形成在所述晶圆上的第三图案,所述第三图案与所述第一图案分离在所述第一方向上测量的第二距离,所述第三图案与所述第二图案分离在所述第一方向上测量的第三距离;其中:所述第一距离约等于所述第三距离;以及所述第二距离小于两倍的所述第一距离。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造