[发明专利]半导体发光元件、发光装置

摘要

本发明的课题是在使用III族氮化物半导体输出呈绿色的波长的光的半导体发光元件中使发光输出功率提高。一种半导体发光元件（1），具有：含有n型杂质（Si）的n型覆盖层（142）；层叠在n型覆盖层（142）上的发光层（150）；和含有p型杂质且层叠在发光层（150）上的p型覆盖层（161）。发光层（150）具有多量子阱结构，所述多量子阱结构具备第1势垒层（1511）～第5势垒层（1515）和第1阱层（1521）～第4阱层（1524），且由两个势垒层夹持一个阱层。在发光层（150）中设为下述构成：以输出绿色光的组成设定第1阱层（1521）～第4阱层（1524），在第1势垒层（1511）中掺杂n型杂质，在第2势垒层（1512）～第5势垒层（1515）中不掺杂n型杂质。

主权项

一种半导体发光元件，其特征在于，包括：由掺杂有n型杂质的III族氮化物半导体构成的n型半导体层；层叠在所述n型半导体层上，由III族氮化物半导体构成，并且通过通电而发出500nm以上570nm以下的波长的光的发光层；和层叠在所述发光层上，由掺杂有p型杂质的III族氮化物半导体构成的p型半导体层，所述发光层具有：由III族氮化物半导体构成的4层以上的阱层；和5层以上的势垒层，所述势垒层由带隙比所述阱层大的III族氮化物半导体构成，从两侧夹持4层以上的该阱层的每一层，并且，在与所述n型半导体层的边界部与该n型半导体层连接、且在与所述p型半导体层的边界部与该p型半导体层连接，在5层以上的所述势垒层之中的、设在与所述n型半导体层的边界部的1层n侧势垒层中掺杂有所述n型杂质，在5层以上的所述势垒层之中的、将所述n侧势垒层除外的4层以上的势垒层中没有掺杂所述n型杂质。