[发明专利]低功耗电阻式随机存储器的存储单元及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201310347810.X 申请日: 2013-08-09
公开(公告)号: CN103427021A 公开(公告)日: 2013-12-04
发明(设计)人: 王群;陈立东 申请(专利权)人: 中国科学院上海硅酸盐研究所
主分类号: H01L45/00 分类号: H01L45/00;G11C13/00;B82Y10/00
代理公司: 上海瀚桥专利代理事务所(普通合伙) 31261 代理人: 曹芳玲;郑优丽
地址: 200050 *** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明涉及一种低功耗电阻式随机存储器的存储单元及其制备方法,所述存储单元由顶电极、存储材料/有机分子复合物层、底电极及衬底组成,所述存储材料/有机分子复合物层为通过分子插层技术在层状电阻存储材料的分子层之间插入有机分子形成的复合物层,所述层状电阻存储材料为层状的氧化物或硫族化合物,所述有机分子为烷基胺、聚苯胺、聚吡咯或聚噻吩。
搜索关键词: 功耗 电阻 随机 存储器 存储 单元 及其 制备 方法
【主权项】:
一种低功耗电阻式随机存储器的存储单元,其特征在于,所述存储单元由顶电极、存储材料/有机分子复合物层、底电极及衬底组成,所述存储材料/有机分子复合物层为通过分子插层技术在层状电阻存储材料的分子层之间插入有机分子形成的复合物层,所述层状电阻存储材料为层状的氧化物或硫族化合物,所述有机分子为烷基胺、聚苯胺、聚吡咯或聚噻吩。
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