[发明专利]一种深沟槽刻蚀设备及其方法有效
| 申请号： | 201310348149.4 | 申请日： | 2013-08-09 |
| 公开（公告）号： | CN104347391B | 公开（公告）日： | 2017-05-24 |
| 发明（设计）人： | 徐震宇;章安娜;许凌燕 | 申请（专利权）人： | 无锡华润上华半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/3065 | 分类号： | H01L21/3065 |
| 代理公司： | 无锡互维知识产权代理有限公司32236 | 代理人： | 王爱伟 |
| 地址： | 214028 江苏省无*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供一种深沟槽刻蚀设备及其方法，其包括提供一种遮挡盘，其中心形成圆形开口，在遮挡盘的圆形开口区域贴上抗等离子体贴纸；对抗等离子体贴纸进行剪裁，使抗等离子体贴纸形成与遮挡盘的圆形开口同心的但比遮挡盘的圆形开口直径小的圆形开口，抗等离子体贴纸突出遮挡盘圆形开口的部分遮蔽遮挡盘的部分圆形开口；将该贴有抗等离子体贴纸的遮挡盘置于晶圆的正上方，使晶圆自遮挡盘的圆形开口露出；对晶圆进行深槽刻蚀。本发明的方法能较好的解决静电夹盘设备深槽刻蚀工艺中晶圆表面边缘掉硅屑的问题，保证深沟槽刻蚀工艺过程中静电夹盘表面的干净；保证良好的设备状态，保证各种特殊工艺稳定开发。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 深沟 刻蚀 设备 及其 方法 | ||
【主权项】：
一种深沟槽刻蚀的方法，其包括：步骤一：提供一种遮挡盘，其中心形成圆形开口；步骤二：在遮挡盘的圆形开口区域贴上抗等离子体贴纸；步骤三：对抗等离子体贴纸进行剪裁，使抗等离子体贴纸形成与遮挡盘的圆形开口同心的但比遮挡盘的圆形开口直径小的圆形开口，抗等离子体贴纸突出遮挡盘圆形开口的部分遮蔽遮挡盘的部分圆形开口；步骤四：将该贴有抗等离子体贴纸的遮挡盘置于晶圆的正上方，使晶圆自遮挡盘的圆形开口露出；步骤五：对晶圆进行深槽刻蚀。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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