[发明专利]CMOS TDI图像传感器及其电荷转移控制方法有效
| 申请号： | 201310348765.X | 申请日： | 2013-08-12 |
| 公开（公告）号： | CN103402061A | 公开（公告）日： | 2013-11-20 |
| 发明（设计）人： | 阿德里·米尔普;李扬;马成;王欣洋 | 申请（专利权）人： | 长春长光辰芯光电技术有限公司 |
| 主分类号： | H04N5/359 | 分类号： | H04N5/359;H04N5/374 |
| 代理公司： | 长春吉大专利代理有限责任公司 22201 | 代理人： | 王淑秋 |
| 地址： | 130033 吉*** | 国省代码： | 吉林;22 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种CMOS TDI图像传感器及其电荷转移控制方法，该传感器的M行多晶硅栅极制作于N列半导体带和隔离带上，多晶硅栅极与半导体带由绝缘介质隔离；多晶硅栅极与时序产生电路连接，半导体带与读出电路连接。电荷转移控制方法如下：通过控制半导体带输出处连接的开关网络和多晶硅栅极信号，使每个相等时间间隔，电荷收集区域面积从nxm变为nxi或从nxi变为nxm；每两个相等时间间隔，电荷收集区域沿垂直方向移动m-i行；n和m、i分别为水平和垂直电荷收集单元合并个数；经开关网络合并后的电荷信号经读出电路读出。本发明可提高CMOS TDI图像传感器的信噪比、可调节有效像素尺寸和面积、提高图像分辨率。 | ||
| 搜索关键词： | cmos tdi 图像传感器 及其 电荷 转移 控制 方法 | ||
【主权项】：
一种CMOS TDI图像传感器，其特征在于包括基板（11），制作于基板（11）上的N列半导体带（13），制作于基板（11）上并将各列半导体带（13）隔离的绝缘隔离带（14）；M行多晶硅栅极（15），时序产生电路（12），读出电路（17）；所述M行多晶硅栅极（15）制作于半导体带（13）和隔离带（14）上，且多晶硅栅极（15）与半导体带（13）之间由绝缘介质（16）隔离；每个多晶硅栅极（15）与半导体带（13）交叠的部分及两者中间的绝缘介质（16）构成一个电荷收集单元（18），每列半导体带（13）整体构成一个电荷转移通道；M行多晶硅栅极（15）分别与时序产生电路（12）连接，N列半导体带（13）与读出电路（17）连接。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于长春长光辰芯光电技术有限公司，未经长春长光辰芯光电技术有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201310348765.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：多向冷却器
- 下一篇：金属板材多点对称式振动渐进复合精密成形系统
