[发明专利]拓扑绝缘体柔性透明导电材料及其制备方法与应用有效
| 申请号： | 201310349245.0 | 申请日： | 2013-08-12 |
| 公开（公告）号： | CN103413594A | 公开（公告）日： | 2013-11-27 |
| 发明（设计）人： | 彭海琳;郭芸帆;刘忠范;陈宇林;沈志勋 | 申请（专利权）人： | 北京大学 |
| 主分类号： | H01B5/14 | 分类号： | H01B5/14;H01B13/00;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 | 代理人： | 关畅 |
| 地址： | 100871 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种拓扑绝缘体柔性透明导电材料及其制备方法与应用。其制备方法，包括如下步骤：1）将基底进行图案化或功能化修饰；2）将拓扑绝缘体置于气体流向的中部，步骤1）所得基底置于气体流向的下方，向所述反应器中通入载气进行沉积，沉积完毕后停止所述载气的通入，降温至室温，在所述基底表面得到拓扑绝缘体材料。利用该方法所得拓扑绝缘体柔性透明导电薄膜或纳米材料，具有宽波长范围内的高透光性，尤其是近红外区。此外，利用拓扑绝缘体特殊的金属表面态，可提供稳定的导电通道，使之具有高导电性，出色的抗扰动能力和机械性能。这类新型的柔性透明光电原件可用于光电子和纳电子学等领域。 | ||
| 搜索关键词： | 拓扑 绝缘体 柔性 透明 导电 材料 及其 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
一种制备拓扑绝缘体薄膜或纳米材料的方法，为如下方法a或b；所述方法a包括如下步骤：1）将基底进行图案化；2）将拓扑绝缘体置于气体流向的中部，步骤1）所得基底置于气体流向的下方，向所述反应器中通入载气进行沉积，沉积完毕后停止所述载气的通入，降温至室温，在所述基底表面得到所述拓扑绝缘体薄膜；所述方法b包括如下步骤：3）将基底进行功能化修饰；4）将拓扑绝缘体置于气体流向的中部，步骤3）所得基底置于气体流向的下方，向所述反应器中通入载气进行沉积，沉积完毕后停止所述载气的通入，降温至室温，在所述基底表面得到所述拓扑绝缘体纳米材料。
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